Si4462DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.8
25 °C, unless otherwise noted
400
0.6
0.4
0.2
0.0
V GS = 6 V
V GS = 10 V
300
200
100
0
C rss
C iss
C oss
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 100 V
I D = 1.5 A
2.1
1.7
1.3
0.9
0.5
V GS = 10 V
I D = 1.5 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
5
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.8
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
0.6
I D = 1.5 A
1
T J = 25 °C
0.4
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72093
S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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